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| タイトル: | High temperature deep level transient spectroscopy investigations of n-type 4H-SiC epitaxial layers |
| 著者: | Schoner, A Fujihira, K Kimoto, T Matsunami, H |
| キーワード: | chimney CVD-reactor deep impurities epitaxial layers hot-wall CVD-reactor HT-DLTS Z(1)-center |
| 発行日: | 2002 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 2002 |
| 巻: | 433-4 |
| 開始ページ: | 387 |
| 終了ページ: | 390 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8872 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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