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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Shigiltchoff, O | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Hobgood, D | en |
| dc.contributor.author | Neudeck, PG | en |
| dc.contributor.author | Porter, LM | en |
| dc.contributor.author | Devaty, RP | en |
| dc.contributor.author | Choyke, WJ | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T04:17:49Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T04:17:49Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.issn | 0255-5476 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8876 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD | en |
| dc.subject | breakdown | en |
| dc.subject | C-V measurements | en |
| dc.subject | I-V | en |
| dc.subject | internal photoemission | en |
| dc.subject | Schottky barrier | en |
| dc.title | Schottky barriers for Pt on 6H-and 4H-SiC (0001), (000(1)over-bar), (1(1)over-bar00) and (1(2)over-bar10) faces measured by I-V, C-V and internal photoemission | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS | en |
| dc.identifier.volume | 389-3 | - |
| dc.identifier.spage | 921 | - |
| dc.identifier.epage | 924 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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