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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Tamura, S | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.contributor.author | Okada, M | en |
| dc.contributor.author | Kanazawa, S | en |
| dc.contributor.author | Kimura, I | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:24:54Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:24:54Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.issn | 0255-5476 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8887 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD | en |
| dc.subject | annealing | en |
| dc.subject | deep level analysis | en |
| dc.subject | electrical characteristics | en |
| dc.subject | nuclear transmutation doping | en |
| dc.subject | phosphorus | en |
| dc.subject | PL | en |
| dc.subject | RBS | en |
| dc.title | Nuclear transmutation doping of phosphorus into 6H-SiC | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2 | en |
| dc.identifier.volume | 338-3 | - |
| dc.identifier.spage | 849 | - |
| dc.identifier.epage | 852 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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