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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| KJ00004808456.pdf | 170.07 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Si-n型(100)面反転層におけるValley分裂の強磁場下enhancement(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会) |
| 著者: | 大川, 房義  植村, 泰忠 |
| 著者名の別形: | Okawa, Fusayoshi Uemura, Yasutada |
| 発行日: | 20-Jun-1976 |
| 出版者: | 物性研究刊行会 |
| 誌名: | 物性研究 |
| 巻: | 26 |
| 号: | 3 |
| 開始ページ: | C83 |
| 終了ページ: | C86 |
| 記述: | この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/89180 |
| 出現コレクション: | Vol.26 No.3 |
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