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Vol.26 No.3   35
(http://hdl.handle.net/2433/86704)

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BibliographyContents
分子線の固体表面での回折
  浜渦, 允紘 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): 65-83
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「表面電子系の理論」報告
   (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C1-C4
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半導体表面の実験的研究(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  小間, 篤 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C5-C13
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低速電子回折における菊池像の固体表面物性研究への応用(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  村田, 好正, 村上, 俊一 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C14-C17
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MOS構造の界面準位の模型計算(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  大阪, 之雄 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C17-C19
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ヘリウム原子線散乱による表面格子振動の研究(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  浅田, 洋, 戸谷, 富之 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C19-C23
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表面の格子振動(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  松原, 武生 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C23-C23
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電界イオン分光と電子スピン偏極による表面電子状態の研究(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  内海, 孝雄 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C24-C24
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遷移金属(特にNi)の表面磁性(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  高山, 一 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C24-C27
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磁性体の界面とスピン波(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  利根川, 孝 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C27-C30
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中性分子と固体表面との交換相互作用(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  中村, 孝 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C30-C32
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金属表面上の吸着層の電子構造(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  塚田, 捷 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C32-C35
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表面電子状態の分子軌道論的取り扱い(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  工藤, 隆雄 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C35-C36
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金属クラスター上への吸着のComputer experiment(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  伊藤, 洋行 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C37-C38
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分子の解離吸着について(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  高橋, 慶紀 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C38-C41
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Si/金属界面での低温化学反応と電子状態(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  平木, 昭夫 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C41-C43
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強磁場下のSi-MOS反転層におけるσ_<XX>=0状態の性質(実験)- Wigner結晶?(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  川路, 紳治, 若林, 淳一 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C44-C48
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強磁場におけるSi-MOS反転層のWigner格子(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  塚田, 捷 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C49-C53
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2次元電子系の集団励起とヴィグナー結晶(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  福山, 秀敏 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C53-C55
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塚田,福山両理論へのコメント(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
  中山, 正敏 (1976-06-20)
  物性研究, 26(3): C56-C58
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