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j.apsusc.2009.05.079.pdf | 984.65 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
タイトル: | Epitaxial growth of Bi thin films on Ge(1 1 1) |
著者: | Hatta, Shinichiro https://orcid.org/0000-0001-5034-5187 (unconfirmed) Ohtsubo, Yoshiyuki Miyamoto, Sanae Okuyama, Hiroshi https://orcid.org/0000-0002-6031-0612 (unconfirmed) Aruga, Tetsuya https://orcid.org/0000-0002-4276-0679 (unconfirmed) |
著者名の別形: | 八田, 振一郎 有賀, 哲也 |
キーワード: | Bismuth Ge(1 1 1) Low-energy electron diffraction Scanning tunneling microscopy Thin film growth |
発行日: | 30-Nov-2009 |
出版者: | Elsevier |
誌名: | Applied Surface Science |
巻: | 256 |
号: | 4 |
開始ページ: | 1252 |
終了ページ: | 1256 |
抄録: | We investigated Bi thin film growth on Ge(1 1 1) by using low-energy electron diffraction (LEED) and scanning tunneling microscopy (STM). In the submonolayer regime, adsorbed Bi atoms form patches of the (2×1) structure. However, the structure does not grow to a long-range order. Following the formation of a (1×1) monolayer (ML) film, two-dimensional (1 1 0)-orientated Bi islands grow. The film orientation changes from (1 1 0) to (1 1 1) at 6–10 ML. The (1 1 0)-oriented Bi film shows a six-domain LEED pattern with missing spots, associated with a glide-line symmetry. The hexagonal (1 1 1) film at 14 ML has a lattice constant 2% smaller than bulk Bi(1 1 1). |
著作権等: | c 2008 Elsevier B.V. All rights reserved. この論文は出版社版でありません。引用の際には出版社版をご確認ご利用ください。 This is not the published version. Please cite only the published version. |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/89639 |
DOI(出版社版): | 10.1016/j.apsusc.2009.05.079 |
出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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