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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| KJ00004773450.pdf | 251.62 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Si-Ge系の比熱及び熱膨張係数の計算 |
| 著者: | 加賀屋, 弘子  相馬, 俊信 木谷, 佳子 |
| 著者名の別形: | KAGAYA, Hiroko SOMA, Toshinobu KITANI, Yoshiko |
| 発行日: | 20-Oct-1985 |
| 出版者: | 物性研究刊行会 |
| 誌名: | 物性研究 |
| 巻: | 45 |
| 号: | 1 |
| 開始ページ: | 1 |
| 終了ページ: | 6 |
| 抄録: | 純構成要素Si及びGeの力定数への体積効果を用いる以前の取扱いで,我々は固体電子論の第一原理からSi-Ge固溶体の熱物性を研究する。Si_<1-x>Ge_x固溶体の定積比熱は濃度xの単調関数となり,原子濃度の一次内挿によってほぼ与えられる。Si-Ge固溶体のGruneisen定数と熱膨張係数は,特有の濃度依存性を示す。Gruneisen、定数の高温部でのほぼ一定の値と低温部での負の最小値は,原子濃度xの単調関数ではなく,それぞれx=0.7近傍で最大値及びx=0.2近傍で最小値をとる。更に,低温部と高温部の線熱膨張係数は,原子濃度xの直線近似からは大きくずれる。 |
| 記述: | この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/91828 |
| 出現コレクション: | Vol.45 No.1 |
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