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書誌情報ファイル
High-purity and thick 4H-and 6H-SiC(0001) epitaxial growth by cold-wall chemical vapor deposition and high-voltage pin diodes
  Tamura, S; Fujihira, K; Kimoto, T; Matsunami, H (2001)
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 40(4A): L319-L322

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