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書誌情報ファイル
Homoepitaxial growth of 4H-SiC(0 3 (3)over-bar-8) and nitrogen doping by chemical vapor deposition
  Kimoto, T; Hirao, T; Nakazawa, S; Shiomi, H; Matsunami, H (2003)
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 249(1-2): 208-215

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