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書誌情報ファイル
Homoepitaxial mesa structures on 4H-SiC (0001) and (11(2)over-bar-0) substrates by chemical vapor deposition
  Chen, Y; Kimoto, T; Takeuchi, Y; Matsunami, H (2003)
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 254(1-2): 115-122

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