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書誌情報ファイル
Structural and electronic characterization of (2,3(3)) bar-shaped stacking fault in 4H-SiC epitaxial layers
  Camarda, Massimo; Canino, Andrea; La Magna, Antonino; La Via, Francesco; Feng, G.; Kimoto, T.; Aoki, M.; Kawanowa, H. (2011-02)
  APPLIED PHYSICS LETTERS, 98(5)
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Major deep levels with the same microstructures observed in n-type 4H-SiC and 6H-SiC
  Sasaki, S.; Kawahara, K.; Feng, G.; Alfieri, G.; Kimoto, T. (2011-01-01)
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 109(1)
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