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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| High-energy (MeV) Al and B ion implantations into 4H-SiC and fabrication of pin diodes Kimoto, T; Miyamoto, N; Schoner, A; Saitoh, A; Matsunami, H; Asano, K; Sugawara, Y (2002) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 91(7): 4242-4248 | |
| Deep Level investigation of pn-junctions formed by MeV aluminum and boron implantation into 4H-SiC Schoner, A; Miyamoto, N; Kimoto, T; Matsunami, H (2000) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, ECSCRM2000, 353-3: 451-454 |