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書誌情報ファイル
Phosphorus ion implantation into 4H-SiC (0001) and (11(2)over-bar0)
  Negoro, Y; Miyamoto, N; Kimoto, T; Matsunami, H (2002)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3: 783-786

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