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書誌情報ファイル
Avalanche phenomena in 4H-SiC p-n diodes fabricated by aluminum or boron implantation
  Negoro, Y; Miyamoto, N; Kimoto, T; Matsunami, H (2002)
  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 49(9): 1505-1510
High-voltage SiC pn diodes with avalanche breakdown fabricated by aluminum or boron ion implantation
  Negoro, Y; Miyamoto, N; Kimoto, T; Matsunami, H (2002)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3: 1273-1276

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