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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| Chemical vapor deposition and deep level analyses of 4H-SiC(11(2)over-bar0) Kimoto, T; Yamamoto, T; Chen, ZY; Yano, H; Matsunami, H (2001) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 89(11): 6105-6109 | |
| 4H-SiC (11(2)over-bar-0) epitaxial growth Kimoto, T; Yamamoto, T; Chen, ZY; Yano, H; Matsunami, H (2000) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2, 338-3: 189-192 |
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