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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| High channel mobility in inversion layer of SiC MOSFETs for power switching transistors Yano, H; Hirao, T; Kimoto, T; Matsunami, H (2000) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 39(4B): 2008-2011 |