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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| Switching characteristics of SiC JFET and Schottky diode in high-temperature dc-dc power converters Funaki, T; Balda, JC; Junghans, J; Jangwanitlert, A; Mounce, S; Barlow, FD; Mantooth, HA; Kimoto, T; Hikihara, T (2005) IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2(3): 97-102 | |
| Characterization of punch-through phenomenon in SiC-SBD by capacitance-voltage measurement at high reverse bias voltage Funaki, T; Matsuzaki, S; Kimoto, T; Hikihara, T (2006) IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 3(16): 379-384 |