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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| High-speed growth of high-purity epitaxial layers with specular surface on 4H-SiC(000-1) face Danno, K; Kimoto, T; Matsunami, H (2004) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 197-200 | |
| Effects of C/Si ratio in fast epitaxial growth of 4H-SIC(0001) by vertical hot-wall chemical vapor deposition Fujiwara, H; Danno, K; Kimoto, T; Tojo, T; Matsunami, H (2005) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 281(2-4): 370-376 | |
| Epitaxial growth of 4H-SiC{0001} and reduction of deep levels Kimoto, T; Wada, K; Danno, K (2006) SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 40(4-6): 225-232 |