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書誌情報ファイル
Selective embedded growth of 4H-SiC trenches in 4H-SiC(0001) substrates using carbon mask
  Chen, Y; Kimoto, T; Takeuchi, Y; Malhan, RK; Matsunami, H (2005)
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 44(7A): 4909-4910
Homoepitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates by chemical vapor deposition
  Chen, Y; Kimoto, T; Takeuchi, Y; Malhan, RK; Matsunami, H (2004)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 189-192

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