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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| High-speed growth of high-purity epitaxial layers with specular surface on 4H-SiC(000-1) face Danno, K; Kimoto, T; Matsunami, H (2004) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 197-200 | |
| Homoepitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates by chemical vapor deposition Chen, Y; Kimoto, T; Takeuchi, Y; Malhan, RK; Matsunami, H (2004) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 189-192 |