検索
検索条件の追加:
検索条件を追加することで検索結果を絞り込むことができます。
検索結果表示: 1-2 / 2.
- 前
- 1
- 次
検索結果:
| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| High-speed growth of high-purity epitaxial layers with specular surface on 4H-SiC(000-1) face Danno, K; Kimoto, T; Matsunami, H (2004) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 197-200 | |
| Low-concentration deep traps in 4H-SiC grown with high growth rate by chemical vapor deposition Danno, K; Hashimoto, K; Saitoh, H; Kimoto, T; Matsunami, H (2004) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 43(7B): L969-L971 |