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書誌情報 | ファイル |
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Design and Fabrication of RESURF MOSFETs on 4H-SiC(0001), (1120), and 6H-SiC(0001) Kimoto, T; Kosugi, H; Suda, J; Kanzaki, Y; Matsunami, H (2005) IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 52(1): 112-117 | |
1330 V, 67 m Omega center dot cm(2) 4H-SiC(0001) RESURF MOSFET Kimoto, T; Kawano, H; Suda, J (2005) IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 26(9): 649-651 |
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発行日
- 2 2005
資料種別