1. Kyoto University Research Information Repository

検索


適用済条件:


検索をやり直す
検索条件の追加:

検索条件を追加することで検索結果を絞り込むことができます。

 | 
検索結果表示: 1-2 / 2.
  • 前
  • 1
  • 次
検索結果:
書誌情報ファイル
High-purity and thick 4H-and 6H-SiC(0001) epitaxial growth by cold-wall chemical vapor deposition and high-voltage pin diodes
  Tamura, S; Fujihira, K; Kimoto, T; Matsunami, H (2001)
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 40(4A): L319-L322
Recent progress in SiC epitaxial growth and device processing technology
  Kimoto, T; Yano, H; Tamura, S; Miyamoto, N; Fujihira, K; Negoro, Y; Matsunami, H (2000)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, ECSCRM2000, 353-3: 543-548

絞り込み