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Title: Variability in BTI-Induced Device Degradation: from Silicon Measurement to SRAM Yield Prediction
Other Titles: トランジスタのBTI劣化ばらつきに関する研究:特性評価からSRAM 回路歩留り予測へ
Authors: Awano, Hiromitsu
Author's alias: 粟野, 皓光
Keywords: 集積回路
微細化
信頼性
バイアス温度不安定性(BTI)
歩留り解析
Issue Date: 23-Mar-2016
Publisher: 京都大学 (Kyoto University)
Conferring University: Kyoto University (京都大学)
Degree Level: 新制・課程博士
Degree Discipline: 博士(情報学)
Degree Report no.: 甲第19862号
Degree no.: 情博第613号
Degree Call no.: 新制||情||106(附属図書館)
Degree Serial no.: 32898
Degree Affiliation: 京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻
Examination Committee members: (主査)教授 佐藤 高史, 教授 小野寺 秀俊, 教授 髙木 直史
Provisions of the Ruling of Degree: 学位規則第4条第1項該当
DOI: 10.14989/doctor.k19862
URI: http://hdl.handle.net/2433/215689
Appears in Collections:Doctoral Dissertation (Informatics)

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