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タイトル: Variability in BTI-Induced Device Degradation: from Silicon Measurement to SRAM Yield Prediction
その他のタイトル: トランジスタのBTI劣化ばらつきに関する研究:特性評価からSRAM 回路歩留り予測へ
著者: Awano, Hiromitsu
著者名の別形: 粟野, 皓光
キーワード: 集積回路
微細化
信頼性
バイアス温度不安定性(BTI)
歩留り解析
発行日: 23-Mar-2016
出版者: 京都大学 (Kyoto University)
学位授与大学: 京都大学
学位の種類: 新制・課程博士
取得分野: 博士(情報学)
報告番号: 甲第19862号
学位記番号: 情博第613号
学位授与年月日: 2016-03-23
請求記号: 新制||情||106(附属図書館)
整理番号: 32898
研究科・専攻: 京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻
論文調査委員: (主査)教授 佐藤 高史, 教授 小野寺 秀俊, 教授 髙木 直史
学位授与の要件: 学位規則第4条第1項該当
DOI: 10.14989/doctor.k19862
URI: http://hdl.handle.net/2433/215689
出現コレクション:140 博士(情報学)

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