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6ACMSCTpres07.pdf | 472.95 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
タイトル: | Electrodeposition of Crystalline Si Films in KF–KCl Melts Using SiCl₄ Gas as a Si Source |
著者: | Yasuda, Kouji Saeki, Kazumi Hagiwara, Rika https://orcid.org/0000-0002-7234-3980 (unconfirmed) Homma, Takayuki Nohira, Toshiyuki https://orcid.org/0000-0002-4053-554X (unconfirmed) |
著者名の別形: | 安田, 幸司 佐伯, 一麦 萩原, 理加 野平, 俊之 |
発行日: | Jun-2017 |
出版者: | 電気化学会 |
誌名: | Proceeding of 6th Asian Conference on Molten Salt Chemistry and Technology |
論文番号: | presentation OA07 |
抄録: | With the aim of developing a new production process of crystalline Si films, the electrodeposition of Si has been investigated in a water-soluble KF–KCl molten salt containing K₂SiF₆at 923 K and 1073 K. Cyclic voltammetry and galvanostatic electrolysis confirm that electrodeposition of crystalline Si on a silver substrate occurs at more negative potential than 0.8 V (vs. K⁺/K). The crystallite size of the deposited Si significantly increases when the experiment temperature is raised from 923 K to 1023 K. The electrodeposition of Si in the KF–KCl salt after the introduction of SiCl₄ was also confirmed. |
記述: | 6th Asian Conference on Molten Salt Chemistry and Technology, Gyeongju, Korea, 13-16 June, 2017. |
著作権等: | 発行元の許可を得て掲載しています。 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/259201 |
関連リンク: | https://msc.electrochem.jp/international.html |
出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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