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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| Flat surface after high-temperature annealing for phosphorus-ion implanted 4H-SiC (0001) using graphite cap Negoro, Y; Katsumoto, K; Kimoto, T; Matsunami, H (2004) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 933-936 | |
| Technological aspects of ion implantation in SiC device processes Negoro, Y; Kimoto, T; Matsunami, H (2005) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004, 483: 599-604 |
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