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書誌情報ファイル
Dose designing for high-voltage 4H-SiC RESURF MOSFETs - device simulation and fabrication
  Kawano, H; Kimoto, T; Suda, J; Matsunami, H (2005)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004, 483: 809-812
1330 V, 67 m Omega center dot cm(2) 4H-SiC(0001) RESURF MOSFET
  Kimoto, T; Kawano, H; Suda, J (2005-09)
  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 26(9): 649-651
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1330 V, 67 m Omega center dot cm(2) 4H-SiC(0001) RESURF MOSFET
  Kimoto, T; Kawano, H; Suda, J (2005)
  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 26(9): 649-651

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