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書誌情報ファイル
High-temperature deep level transient spectroscopy on As-grown P-type 4H-SiC epilayers
  Danno, K; Kimoto, T (2006)
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 45(8-11): L285-L287
Embedded epitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates and pn junction characteristics
  Negoro, Y; Kimoto, T; Kataoka, M; Takeuchi, Y; Malhan, RK; Matsunami, H (2006)
  MICROELECTRONIC ENGINEERING, 83(1): 27-29

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