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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| Crystallographic defects under device-killing surface faults in a homoepitaxially grown film of SiC Okada, T; Kimoto, T; Yamai, K; Matsunami, H; Inoko, F (2003) MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING, 361(1-2): 67-74 | |
| Source of surface morphological defects formed on 4H-SiC homoepitaxial films Okada, T; Ochi, K; Kawahara, H; Tomita, T; Matsuo, S; Yamaguchi, M; Higashimine, K; Kimoto, T (2006) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45(10A): 7625-7631 |