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書誌情報ファイル
Impact of surface step heights of 6H-SiC (0001) vicinal substrates in heteroepitaxial growth of 2H-AlN
  Okumura, H; Horita, M; Kimoto, T; Suda, J (2008)
  APPLIED SURFACE SCIENCE, 254(23): 7858-7860
Towards high-quality AlN/SiC hetero-interface by controlling initial processes in molecular-beam epitaxy
  Onojima, N; Kaido, J; Suda, J; Kimoto, T; Matsunami, H (2004)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 1569-1572

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