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書誌情報ファイル
Epitaxial growth of 4H-SiC(0 3 (3)over-bar 8) and control of MOS interface
  Kimoto, T; Hirao, T; Fujihira, K; Kosugi, H; Danno, K; Matsunami, H (2003)
  APPLIED SURFACE SCIENCE, 216(1-4): 497-501
High-temperature deep level transient spectroscopy on As-grown P-type 4H-SiC epilayers
  Danno, K; Kimoto, T (2006)
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 45(8-11): L285-L287

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