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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| Avalanche phenomena in 4H-SiC p-n diodes fabricated by aluminum or boron implantation Negoro, Y; Miyamoto, N; Kimoto, T; Matsunami, H (2002) IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 49(9): 1505-1510 | |
| High-purity 4H-SiC epitaxial growth by hot-wall chemical vapor deposition Nakazawa, S; Kimoto, T; Hashimoto, K; Matsunami, H (2002) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 237: 1213-1218 |