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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| Epitaxial growth of 4H-SiC(0 3 (3)over-bar 8) and control of MOS interface Kimoto, T; Hirao, T; Fujihira, K; Kosugi, H; Danno, K; Matsunami, H (2003) APPLIED SURFACE SCIENCE, 216(1-4): 497-501 | |
| High-voltage 4H-SiC Schottky barrier diodes fabricated on (03(3)over-bar8) with closed micropipes Kimoto, T; Fujimiza, K; Shiomi, H; Matsunami, H (2003) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 42(1A-B): L13-L16 |