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書誌情報ファイル
Technological aspects of ion implantation in SiC device processes
  Negoro, Y; Kimoto, T; Matsunami, H (2005)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004, 483: 599-604
Electrical behavior of implanted aluminum and boron near tall region in 4H-SiC after high-temperature annealing
  Negoro, Y; Kimoto, T; Matsunami, H (2005)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004, 483: 617-620