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書誌情報 | ファイル |
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Technological aspects of ion implantation in SiC device processes Negoro, Y; Kimoto, T; Matsunami, H (2005) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004, 483: 599-604 | |
Electrical behavior of implanted aluminum and boron near tall region in 4H-SiC after high-temperature annealing Negoro, Y; Kimoto, T; Matsunami, H (2005) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004, 483: 617-620 |
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発行日
- 2 2005