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書誌情報ファイル
High channel mobility in inversion layer of SiC MOSFETs for power switching transistors
  Yano, H; Hirao, T; Kimoto, T; Matsunami, H (2000)
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 39(4B): 2008-2011
Anisotropy of inversion channel mobility in 4H-and 6H-SIC MOSFETs on (11(2)over-bar0) face
  Yano, H; Hirao, T; Kimoto, T; Matsunami, H; Asano, K; Sugawara, Y (2000)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2, 338-3: 1105-1108

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