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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| Short-Channel Effects in 4H-SiC MOSFETs Noborio, M; Kanzaki, Y; Suda, J; Kimoto, T; Matsunami, H (2005) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004, 483: 821-824 | |
| High channel mobility in inversion layer of SiC MOSFETs for power switching transistors Yano, H; Hirao, T; Kimoto, T; Matsunami, H (2000) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 39(4B): 2008-2011 | |
| 4H-SiC MOSFETs with a novel channel structure (sandwiched channel MOSFET) Kaido, J; Kimoto, T; Suda, J; Matsunami, H (2004) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 1409-1412 |
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