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書誌情報 | ファイル |
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Effects of C/Si ratio in chemical vapor deposition of 4H-SiC(11(2)over-bar0) and (03(3)over-bar8) Kimoto, T; Hashimoto, K; Matsunami, H (2003) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 42(12): 7294-7295 | |
Homoepitaxial growth of 4H-SiC(0 3 (3)over-bar-8) and nitrogen doping by chemical vapor deposition Kimoto, T; Hirao, T; Nakazawa, S; Shiomi, H; Matsunami, H (2003) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 249(1-2): 208-215 |