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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| Avalanche phenomena in 4H-SiC p-n diodes fabricated by aluminum or boron implantation Negoro, Y; Miyamoto, N; Kimoto, T; Matsunami, H (2002) IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 49(9): 1505-1510 | |
| Robust 4H-SiC pn diodes fabricated using (1120) face Negoro, Y; Kimoto, T; Matsunami, H (2004) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 43(2): 471-476 | |
| Vanadium ion implanted guard rings for high-voltage 4H-SiC Schottky rectifiers Hatayama, T; Yoneda, T; Nakata, T; Watanabe, M; Kimoto, T; Matsunami, H (2000) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 39(12A): L1216-L1218 |
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