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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| High-purity 4H-SiC epitaxial growth by hot-wall chemical vapor deposition Nakazawa, S; Kimoto, T; Hashimoto, K; Matsunami, H (2002) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 237: 1213-1218 | |
| Homoepitaxial growth of 4H-SiC(0 3 (3)over-bar-8) and nitrogen doping by chemical vapor deposition Kimoto, T; Hirao, T; Nakazawa, S; Shiomi, H; Matsunami, H (2003) JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 249(1-2): 208-215 |