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書誌情報ファイル
Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single InxGa1-xN/GaN quantum disk
  Bardoux, R.; Kaneta, A.; Funato, M.; Kawakami, Y.; Kikuchi, A.; Kishino, K. (2009-04)
  PHYSICAL REVIEW B, 79(15)
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Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single InxGa1-xN/GaN quantum disk
  Bardoux, R.; Kaneta, A.; Funato, M.; Kawakami, Y.; Kikuchi, A.; Kishino, K. (2009)
  PHYSICAL REVIEW B, 79(15)
Semipolar {n[n¯]01} InGaN/GaN ridge quantum wells (n = 1−3) fabricated by a regrowth technique
  Funato, Mitsuru; Kotani, Teruhisa; Kondou, Takeshi; Kawakami, Yoichi (2012-04)
  Applied Physics Letters, 100(16)
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