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Kyoto University Research Information Repository
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390 基礎物理学研究所 = 390_Yukawa Institute for Theoretical Physics
物性研究 = Bussei Kenkyu
Vol.40 No.4
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書誌情報
ファイル
35. A.C. Conductivity and the Electron Localization in Si MOS-FET under High Magnetic Fields(Experiments,IV. Quantized Hall Effects)
Miura, N.; Isawa, Y. (1983-07-20)
物性研究, 40(4): 116-118
12. a-Si(1-X)Au_X金属薄膜の輸送現象 : 局在と超伝導(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
西田, 信彦 (1983-07-20)
物性研究, 40(4): 42-44
表紙・投稿規定・プレプリント案内・編集後記・裏表紙ほか
(1983-07-20)
物性研究, 40(4): 416-434
3. Magnetoresistance in Anderson Localized Regime(Theories,I. Three Dimensional Systems)
Kamimura, Hiroshi; Kurobe, Atsushi; Takemori, Tadashi (1983-07-20)
物性研究, 40(4): 9-11
10. 1T-Ta_<1-X>Ti_XS_2のアンダーソン局在(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
小林, 典男; 西尾, 豊; 武藤, 芳雄 (1983-07-20)
物性研究, 40(4): 36-38
24. 1次元アンダーソン局在系の動的応答 : 計算機実験と厳密解(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
佐宗, 哲郎; 金, 昌一 (1983-07-20)
物性研究, 40(4): 82-84
2. アンダーソン局在とくりこみ群(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
氷上, 忍 (1983-07-20)
物性研究, 40(4): 5-8
13. Interaction Effects in Weakly Localized Regime of Two- and Three- Dimensional Disordered Systems(Theories,II Two Dimensional Systems)
Fukuyama, Hidetoshi (1983-07-20)
物性研究, 40(4): 45-46
34. シリコンMOSFETの量子ホール効果における、電流、磁場、基板バイアス、および周波数等の影響(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
若林, 淳一 (1983-07-20)
物性研究, 40(4): 113-115
33. A. Possible Liratation of the Precision of h/e^2 Determined from the Qnantum Hall Effect(Experiments,IV. Quantized Hall Effects)
Kinoshita, J.; Yoshihiro, K. (1983-07-20)
物性研究, 40(4): 110-112
絞り込み
著者
2
Fukuyama, Hidetoshi
2
川畑, 有郷
2
近藤, 淳
1
ANDO, Tsuneya
1
Aoki, H.
1
FUKUYAMA, Hidetoshi
1
Ikehata, S.
1
Isawa, Y.
1
Kamimura, Hiroshi
1
Katsumoto, Shingo
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資料種別
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