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書誌情報ファイル
Formation of a semi-insulating layer in n-type 4H-SiC by electron irradiation
  Kaneko, Hiromi; Kimoto, Tsunenobu (2011-06-27)
  APPLIED PHYSICS LETTERS, 98(26)
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Major deep levels with the same microstructures observed in n-type 4H-SiC and 6H-SiC
  Sasaki, S.; Kawahara, K.; Feng, G.; Alfieri, G.; Kimoto, T. (2011-01-01)
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 109(1)
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Enhancement and control of carrier lifetimes in p-type 4H-SiC epilayers
  Hayashi, T.; Asano, K.; Suda, J.; Kimoto, T. (2012-09)
  Journal of Applied Physics, 112(6)
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