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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| Electrical activation of high-concentration aluminum implanted in 4H-SiC Negoro, Y; Kimoto, T; Matsunami, H; Schmid, F; Pensl, G (2004-11-01) Journal of Applied Physics, 96(9): 4916-4922 |  |
| Electrical activation of high-concentration aluminum implanted in 4H-SiC Negoro, Y; Kimoto, T; Matsunami, H; Schmid, F; Pensl, G (2004) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 96(9): 4916-4922 | |
| Low sheet resistance of high-dose aluminum implanted 4H-SiC using (11-20) face Negoro, Y; Katsumoto, K; Kimoto, T; Matsunami, H; Schmid, F; Pensl, G (2004) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 913-916 |
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発行日
- 3 2004