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書誌情報ファイル
Homoepitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates by chemical vapor deposition
  Chen, Y; Kimoto, T; Takeuchi, Y; Malhan, RK; Matsunami, H (2004)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 189-192
4H-SiC (11(2)over-bar-0) epitaxial growth
  Kimoto, T; Yamamoto, T; Chen, ZY; Yano, H; Matsunami, H (2000)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2, 338-3: 189-192
4H-SiC epitaxial growth on SiC substrates with various off-angles
  Saitoh, H; Kimoto, T (2005)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004, 483: 89-92

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