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書誌情報ファイル
Formation of a semi-insulating layer in n-type 4H-SiC by electron irradiation
  Kaneko, Hiromi; Kimoto, Tsunenobu (2011-06-27)
  APPLIED PHYSICS LETTERS, 98(26)
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Major deep levels with the same microstructures observed in n-type 4H-SiC and 6H-SiC
  Sasaki, S.; Kawahara, K.; Feng, G.; Alfieri, G.; Kimoto, T. (2011-01-01)
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 109(1)
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Anharmonic vibrations of the dicarbon antisite defect in 4H-SiC
  Yan, F.; Devaty, R. P.; Choyke, W. J.; Gali, A.; Kimoto, T.; Ohshima, T.; Pensl, G. (2012-03)
  APPLIED PHYSICS LETTERS, 100(13)
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