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| 書誌情報 | ファイル |
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| Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single InxGa1-xN/GaN quantum disk Bardoux, R.; Kaneta, A.; Funato, M.; Kawakami, Y.; Kikuchi, A.; Kishino, K. (2009-04) PHYSICAL REVIEW B, 79(15) |  |
| Positive binding energy of a biexciton confined in a localization center formed in a single InxGa1-xN/GaN quantum disk Bardoux, R.; Kaneta, A.; Funato, M.; Kawakami, Y.; Kikuchi, A.; Kishino, K. (2009) PHYSICAL REVIEW B, 79(15) | |
| Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching Kawakami, Y.; Kaneta, A.; Su, L.; Zhu, Y.; Okamoto, K.; Funato, M.; Kikuchi, A.; Kishino, K. (2010) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 107(2) | |
| Optical properties of InGaN/GaN nanopillars fabricated by postgrowth chemically assisted ion beam etching Kawakami, Y.; Kaneta, A.; Su, L.; Zhu, Y.; Okamoto, K.; Funato, M.; Kikuchi, A.; Kishino, K. (2010-01) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 107(2) | |