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書誌情報ファイル
12. a-Si(1-X)Au_X金属薄膜の輸送現象 : 局在と超伝導(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  西田, 信彦 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 42-44
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3. Magnetoresistance in Anderson Localized Regime(Theories,I. Three Dimensional Systems)
  Kamimura, Hiroshi; Kurobe, Atsushi; Takemori, Tadashi (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 9-11
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10. 1T-Ta_<1-X>Ti_XS_2のアンダーソン局在(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  小林, 典男; 西尾, 豊; 武藤, 芳雄 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 36-38
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24. 1次元アンダーソン局在系の動的応答 : 計算機実験と厳密解(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  佐宗, 哲郎; 金, 昌一 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 82-84
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2. アンダーソン局在とくりこみ群(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  氷上, 忍 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 5-8
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13. Interaction Effects in Weakly Localized Regime of Two- and Three- Dimensional Disordered Systems(Theories,II Two Dimensional Systems)
  Fukuyama, Hidetoshi (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 45-46
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34. シリコンMOSFETの量子ホール効果における、電流、磁場、基板バイアス、および周波数等の影響(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  若林, 淳一 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 113-115
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33. A. Possible Liratation of the Precision of h/e^2 Determined from the Qnantum Hall Effect(Experiments,IV. Quantized Hall Effects)
  Kinoshita, J.; Yoshihiro, K. (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 110-112
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27. Theory of Quantized Hall Effect and Localization(Theories,IV. Quantized Hall Effects)
  ANDO, Tsuneya (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 90-93
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8. Electronic Transport in Metallic Ge:Sb at Low Temperature(Experiments,I. Three Dimensional Systems)
  Ootuka, Youiti; Katsumoto, Shingo (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 26-31
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