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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| Effects of wet oxidation/anneal on interface properties of thermally oxidized SiO2/SiC MOS system and MOSFET's Yano, H; Katafuchi, F; Kimoto, T; Matsunami, H (1999) IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 46(3): 504-510 | |
| Effects of wet oxidation/anneal on interface properties of thermally oxidized SiO2/SiC MOS system and MOSFET's Yano, H; Katafuchi, F; Kimoto, T; Matsunami, H (1999-03) IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 46(3): 504-510 |  |
| Effects of oxidation/anneal atmosphere on SiC MOS interface and MOSFETs Yano, H; Katafuchi, F; Kimoto, T; Matsunami, H (1999) COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998, 162: 723-728 |
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発行日
- 3 1999