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書誌情報
ファイル
N2O-grown oxides/4H-SiC (0001), (0338), and (1120) interface properties characterized by using p-type gate-controlled diodes
Noborio, Masato; Suda, Jun; Kimoto, Tsunenobu (2008)
APPLIED PHYSICS LETTERS, 93(19)
The temperature dependence of the refractive indices of GaN and AlN from room temperature up to 515 degrees C
Watanabe, Naoki; Kimoto, Tsunenobu; Suda, Jun (2008)
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 104(10)
Effects of Counteranions and Dissolved Oxygen on Chemical ZnO Deposition from Aqueous Solutions
Shinagawa, Tsutomu; Murase, Kuniaki; Otomo, Satomi; Katayama, Jun-ichi; Izaki, Masanobu (2009)
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 156(5): H320-H326
The temperature dependence of the refractive indices of GaN and AlN from room temperature up to 515 degrees C
Watanabe, Naoki; Kimoto, Tsunenobu; Suda, Jun (2008-11-15)
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 104(10)
Structural and electronic characterization of (2,3(3)) bar-shaped stacking fault in 4H-SiC epitaxial layers
Camarda, Massimo; Canino, Andrea; La Magna, Antonino; La Via, Francesco; Feng, G.; Kimoto, T.; Aoki, M.; Kawanowa, H. (2011-02)
APPLIED PHYSICS LETTERS, 98(5)
Formation of a semi-insulating layer in n-type 4H-SiC by electron irradiation
Kaneko, Hiromi; Kimoto, Tsunenobu (2011-06-27)
APPLIED PHYSICS LETTERS, 98(26)
Major deep levels with the same microstructures observed in n-type 4H-SiC and 6H-SiC
Sasaki, S.; Kawahara, K.; Feng, G.; Alfieri, G.; Kimoto, T. (2011-01-01)
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 109(1)
Temperature and injection level dependencies and impact of thermal oxidation on carrier lifetimes in p-type and n-type 4H-SiC epilayers
Hayashi, T.; Asano, K.; Suda, J.; Kimoto, T. (2011-01-01)
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 109(1)
Impacts of reduction of deep levels and surface passivation on carrier lifetimes in p-type 4H-SiC epilayers
Hayashi, T.; Asano, K.; Suda, J.; Kimoto, T. (2011-06-01)
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 109(11)
Nonradiative recombination at threading dislocations in 4H-SiC epilayers studied by micro-photoluminescence mapping
Feng, Gan; Suda, Jun; Kimoto, Tsunenobu (2011-08-01)
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 110(3)
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著者
16
Kimoto, Tsunenobu
12
Suda, Jun
7
Kimoto, T.
6
0000-0002-5455-3757
5
Kawakami, Y.
4
Kaneta, A.
4
Kikuchi, A.
4
Kishino, K.
3
0000-0002-7564-9416
3
Asano, K.
.
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キーワード
23
silicon compounds
14
semiconductor epitaxial layers
12
photoluminescence
10
gallium compounds
10
III-V semiconductors
8
annealing
7
carrier lifetime
7
semiconductor growth
6
deep levels
6
indium compounds
.
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発行日
1
2013
6
2012
11
2011
4
2010
13
2009
4
2008
資料種別
39
Journal Article